不久前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3D NAND)，容量256Gb，以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求;合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在9月20日的2019世界制造業(yè)大會(huì)上宣布，公司總投資約1500億元的DRAM芯片自主制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。
近年來，雖然國(guó)內(nèi)企業(yè)在NAND、DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，打破了國(guó)際廠商的產(chǎn)品壟斷。但產(chǎn)品還處于量產(chǎn)初期，外企主導(dǎo)的市場(chǎng)地位很難撼動(dòng)。
存儲(chǔ)芯片的重要性
存儲(chǔ)芯片是電子信息領(lǐng)域的重要戰(zhàn)略基礎(chǔ)元件，應(yīng)用范圍極其廣泛。隨著5G時(shí)代的逐漸來臨，5G網(wǎng)絡(luò)將廣泛的應(yīng)用于AI人工智能、大數(shù)據(jù)、IOT平臺(tái)等領(lǐng)域，豐富的使用場(chǎng)景必將帶來海量的數(shù)據(jù)，這其中會(huì)爆發(fā)巨大的存儲(chǔ)市場(chǎng)需求。
同時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全性關(guān)乎國(guó)家信息安全，因此發(fā)展擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片是國(guó)家戰(zhàn)略所在。
我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求龐大 但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片供給不足
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)具有強(qiáng)周期性和高成長(zhǎng)性，下游新興市場(chǎng)不斷涌現(xiàn)使得存儲(chǔ)器需求旺盛。中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，存儲(chǔ)芯片的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)仍有待挖掘，潛力巨大。
2008-2015年中國(guó)NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模從33.5億元達(dá)到了49億元，NAND Flash芯片從45.9億迅速增長(zhǎng)到了939.2億元。雖然2018年存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格受智能手機(jī)出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場(chǎng)需求使得存儲(chǔ)器銷售仍較為可觀。
圖1 2014-2018中國(guó)大陸集成電路及存儲(chǔ)器進(jìn)口額情況(資料來源：中國(guó)海關(guān)總署)
從中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)來看，2018年我國(guó)進(jìn)口芯片金額達(dá)到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創(chuàng)出歷史新高。其中存儲(chǔ)芯片進(jìn)口金額達(dá)到1230.7億美元，占集成電路進(jìn)口總額的38%且呈上升趨勢(shì)，其比重超過CPU、手機(jī)基帶等熱門芯片，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片供給嚴(yán)重不足。
全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷局面
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)資金及技術(shù)門檻較高，在全球經(jīng)歷產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和企業(yè)兼并之后，市場(chǎng)呈壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
圖2 2017年全球DRAM及NAND市場(chǎng)份額占比(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
從當(dāng)前DRAM的全球市場(chǎng)份額來看，三星、SK海力士和美光占據(jù)了95%以上的市場(chǎng)份額，其中兩家韓國(guó)企業(yè)合計(jì)占有72%的份額，具有控制全球DRAM產(chǎn)品價(jià)格的實(shí)力，其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很難突破目前的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。
在NAND Flash市場(chǎng)，前5大企業(yè)占據(jù)了99%的市場(chǎng)份額，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領(lǐng)域我國(guó)有兆易創(chuàng)新排在前列，其他領(lǐng)域國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)與規(guī)模差距明顯，自主產(chǎn)品亟待突破。
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破
存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)最重要的產(chǎn)品，其銷售額約占全球半導(dǎo)體行業(yè)總額的1/3。目前，我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域還處于落后狀態(tài)，但隨著國(guó)內(nèi)政策及產(chǎn)業(yè)基金的不斷扶持，國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了重大的技術(shù)突破，與國(guó)際一流產(chǎn)品的代差在逐漸縮小。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)存儲(chǔ)領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，2018年企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了32層3D NAND的小批量生產(chǎn)，2019年基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。
這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距縮減至兩代。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直接跳躍到128層3D NAND的目標(biāo)，繞開主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片，屆時(shí)我國(guó)將達(dá)到世界一流廠商水平。
合肥長(zhǎng)鑫是是中國(guó)大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的DRAM公司，其DRAM產(chǎn)品19nm級(jí)第一代8Gb DDR4年底開始投產(chǎn)，滿產(chǎn)后可以達(dá)到每月36萬片產(chǎn)能，且其重新設(shè)計(jì)的DRAM芯片，最大限度的減少了對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用，以避免像福建晉華一樣被美國(guó)制裁而出現(xiàn)生產(chǎn)停滯。
表1 我國(guó)存儲(chǔ)領(lǐng)域產(chǎn)能分布(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
結(jié)語
我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)外依存度高，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，疊加政府在政策、資金、稅收等方面給予大力支持，及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的大趨勢(shì)，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來關(guān)鍵發(fā)展機(jī)遇。
目前，在存儲(chǔ)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)企業(yè)已在奮力追趕，形成長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、紫光存儲(chǔ)三大陣營(yíng)，分別專注于NAND Flash、DRAM和利基型DRAM。隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟、關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片將與國(guó)際領(lǐng)先廠商的差距越來越小，國(guó)產(chǎn)替代未來可期。
近年來，雖然國(guó)內(nèi)企業(yè)在NAND、DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，打破了國(guó)際廠商的產(chǎn)品壟斷。但產(chǎn)品還處于量產(chǎn)初期，外企主導(dǎo)的市場(chǎng)地位很難撼動(dòng)。
存儲(chǔ)芯片的重要性
存儲(chǔ)芯片是電子信息領(lǐng)域的重要戰(zhàn)略基礎(chǔ)元件，應(yīng)用范圍極其廣泛。隨著5G時(shí)代的逐漸來臨，5G網(wǎng)絡(luò)將廣泛的應(yīng)用于AI人工智能、大數(shù)據(jù)、IOT平臺(tái)等領(lǐng)域，豐富的使用場(chǎng)景必將帶來海量的數(shù)據(jù)，這其中會(huì)爆發(fā)巨大的存儲(chǔ)市場(chǎng)需求。
同時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全性關(guān)乎國(guó)家信息安全，因此發(fā)展擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片是國(guó)家戰(zhàn)略所在。
我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求龐大 但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片供給不足
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)具有強(qiáng)周期性和高成長(zhǎng)性，下游新興市場(chǎng)不斷涌現(xiàn)使得存儲(chǔ)器需求旺盛。中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，存儲(chǔ)芯片的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)仍有待挖掘，潛力巨大。
2008-2015年中國(guó)NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模從33.5億元達(dá)到了49億元，NAND Flash芯片從45.9億迅速增長(zhǎng)到了939.2億元。雖然2018年存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格受智能手機(jī)出貨量下降等因素下降較為明顯，但多樣化的市場(chǎng)需求使得存儲(chǔ)器銷售仍較為可觀。
圖1 2014-2018中國(guó)大陸集成電路及存儲(chǔ)器進(jìn)口額情況(資料來源：中國(guó)海關(guān)總署)
從中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)來看，2018年我國(guó)進(jìn)口芯片金額達(dá)到3120.58億美元(約合人民幣2.06萬億元)，創(chuàng)出歷史新高。其中存儲(chǔ)芯片進(jìn)口金額達(dá)到1230.7億美元，占集成電路進(jìn)口總額的38%且呈上升趨勢(shì)，其比重超過CPU、手機(jī)基帶等熱門芯片，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片供給嚴(yán)重不足。
全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷局面
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)資金及技術(shù)門檻較高，在全球經(jīng)歷產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和企業(yè)兼并之后，市場(chǎng)呈壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
圖2 2017年全球DRAM及NAND市場(chǎng)份額占比(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
從當(dāng)前DRAM的全球市場(chǎng)份額來看，三星、SK海力士和美光占據(jù)了95%以上的市場(chǎng)份額，其中兩家韓國(guó)企業(yè)合計(jì)占有72%的份額，具有控制全球DRAM產(chǎn)品價(jià)格的實(shí)力，其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很難突破目前的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。
在NAND Flash市場(chǎng)，前5大企業(yè)占據(jù)了99%的市場(chǎng)份額，寡頭壟斷明顯;NOR Flash領(lǐng)域我國(guó)有兆易創(chuàng)新排在前列，其他領(lǐng)域國(guó)內(nèi)廠商的技術(shù)與規(guī)模差距明顯，自主產(chǎn)品亟待突破。
國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破
存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)最重要的產(chǎn)品，其銷售額約占全球半導(dǎo)體行業(yè)總額的1/3。目前，我國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域還處于落后狀態(tài)，但隨著國(guó)內(nèi)政策及產(chǎn)業(yè)基金的不斷扶持，國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了重大的技術(shù)突破，與國(guó)際一流產(chǎn)品的代差在逐漸縮小。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)存儲(chǔ)領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，2018年企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了32層3D NAND的小批量生產(chǎn)，2019年基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。
這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距縮減至兩代。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直接跳躍到128層3D NAND的目標(biāo)，繞開主要NAND制造商生產(chǎn)的96層閃存芯片，屆時(shí)我國(guó)將達(dá)到世界一流廠商水平。
合肥長(zhǎng)鑫是是中國(guó)大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的DRAM公司，其DRAM產(chǎn)品19nm級(jí)第一代8Gb DDR4年底開始投產(chǎn)，滿產(chǎn)后可以達(dá)到每月36萬片產(chǎn)能，且其重新設(shè)計(jì)的DRAM芯片，最大限度的減少了對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用，以避免像福建晉華一樣被美國(guó)制裁而出現(xiàn)生產(chǎn)停滯。
表1 我國(guó)存儲(chǔ)領(lǐng)域產(chǎn)能分布(資料來源：金智創(chuàng)新行研中心整理)
結(jié)語
我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品對(duì)外依存度高，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，疊加政府在政策、資金、稅收等方面給予大力支持，及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的大趨勢(shì)，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來關(guān)鍵發(fā)展機(jī)遇。
目前，在存儲(chǔ)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)企業(yè)已在奮力追趕，形成長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、紫光存儲(chǔ)三大陣營(yíng)，分別專注于NAND Flash、DRAM和利基型DRAM。隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)品逐步成熟、關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片將與國(guó)際領(lǐng)先廠商的差距越來越小，國(guó)產(chǎn)替代未來可期。
17621123178