梁孟松是臺(tái)積電的技術(shù)研發(fā)大將，2003年臺(tái)積電以自主技術(shù)擊敗IBM揚(yáng)名全球的130nm“銅工藝”，被認(rèn)為梁孟松的功勞僅次于資深研發(fā)副總蔣尚義，可見(jiàn)梁孟松對(duì)臺(tái)積電的重要性。隨后他在臺(tái)積電的工藝演進(jìn)中繼續(xù)擔(dān)任重要角色，更是FinFET工藝的重要負(fù)責(zé)人。

梁孟松出走三星后，三星從28nm跳躍至14nmFinFET，并先于臺(tái)積電的16nmFinFET約半年時(shí)間量產(chǎn)，并在隨后的10nm工藝上再次領(lǐng)先臺(tái)積電量產(chǎn)，據(jù)說(shuō)他還參與三星的7nm工藝研發(fā)，三星方面已確定明年下半年量產(chǎn)引入EUV技術(shù)的7nm工藝，而臺(tái)積電明年量產(chǎn)的7nm工藝未加入EUV技術(shù)要到后年才能加入該技術(shù)，這意味著三星將再次在7nm工藝上領(lǐng)先臺(tái)積電。

由此可見(jiàn)梁孟松在芯片制造工藝研發(fā)上所擁有的強(qiáng)大實(shí)力，也因此當(dāng)外界傳聞他將加入中芯國(guó)際后各方均極為矚目，如今該消息坐實(shí)并且他將擔(dān)任中芯國(guó)際的共同CEO，也可見(jiàn)中芯國(guó)際對(duì)他的重視。

除了梁孟松外，同樣為臺(tái)積電的芯片制造工藝做出重要貢獻(xiàn)的蔣尚義也已加入中芯國(guó)際并擔(dān)任獨(dú)立董事，兩位臺(tái)積電前重要技術(shù)專(zhuān)家的加入，讓中國(guó)業(yè)界對(duì)中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝研發(fā)上取得突破抱有期待。

中芯國(guó)際已投產(chǎn)28nm工藝，目前正在研發(fā)14nmFinFET并預(yù)期明年試產(chǎn)，梁孟松和蔣尚義的加入或許有助于中芯國(guó)際的14nmFinFET如期投產(chǎn)，應(yīng)對(duì)臺(tái)積電在中國(guó)大陸建設(shè)的南京工廠帶來(lái)的挑戰(zhàn)。

臺(tái)積電面對(duì)中國(guó)大陸迅速發(fā)展的芯片產(chǎn)業(yè)當(dāng)然心動(dòng)，此前它已有上海松江廠，不過(guò)松江廠主要生產(chǎn)8寸晶圓無(wú)法滿足大陸芯片企業(yè)的需求，南京廠則生產(chǎn)12寸晶圓并且將引入16nmFinFET工藝，這對(duì)中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)是非常大的挑戰(zhàn)，迫使中芯國(guó)際需要及時(shí)投產(chǎn)14nmFinFET工藝予以應(yīng)對(duì)。

梁孟松的加入還將有助于中芯國(guó)際研發(fā)更先進(jìn)的10nm甚至7nm工藝，從梁孟松加入三星之后幫助它在14nmFinFET、10nm、7nm工藝的研發(fā)可知他的實(shí)力，而中芯國(guó)際任命他擔(dān)任共同CEO很可能會(huì)委任他負(fù)責(zé)工藝研發(fā)工作，再加上大陸集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持，中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝上預(yù)計(jì)將迅速取得突破。

中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)已取得許多優(yōu)異的成績(jī)，手機(jī)芯片行業(yè)成長(zhǎng)起了華為海思、展訊等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，平板芯片企業(yè)則有瑞芯微，穿戴設(shè)備有君正，唯獨(dú)在芯片制造方面稍微落后，中芯國(guó)際作為中國(guó)大陸最大的芯片制造企業(yè)承擔(dān)了推進(jìn)先進(jìn)工藝研發(fā)的重任，如它在先進(jìn)工藝方面取得突破，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)整體將會(huì)同步前進(jìn)，也將有助于中國(guó)制造向中國(guó)創(chuàng)造轉(zhuǎn)型。