| 產(chǎn)地 | 湖北 |
|---|---|
| 材料物理性質(zhì) | 半導(dǎo)體 |
| 材料晶體結(jié)構(gòu) | 其他 |
| 品牌 | joinbon |
| 型號(hào) | JSP-TN3XXX-SMT |
硅光電倍增器（Silicon photomultiplier，SiPM)，是一種新型的半導(dǎo)體光電探測(cè)器，其功能是探測(cè)光信號(hào)并將光信號(hào)轉(zhuǎn)化成電信號(hào)輸出，由工作在蓋革模式的雪崩光電二極管和淬滅電阻串聯(lián)而成的多個(gè)微元像素相互并聯(lián)而成。一般具有增益高、靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。它發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末，廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像設(shè)備、高能物理實(shí)驗(yàn)、輻射探測(cè)器和分析測(cè)量?jī)x中，最近幾年來(lái)在核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域發(fā)展迅速，被廣泛認(rèn)為是可以未來(lái)極微弱光探測(cè)器的發(fā)展方向。
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幾何參數(shù)------------------------------------------------------------
| 產(chǎn)品 | 感光面積 | 像素間距 | 像素?cái)?shù)量 | 填充因子 | 封裝尺寸 |
| JSP-TN3037-SMT | 3mm×3mm | 37μm | 5929 | 60.2% | 4mm×4mm×0.68mm |
| JSP-TN3050-SMT | 50μm | 3364 | 70.6% | ||
| JSP-TN3075-SMT | 75μm | 1439 | 79.8% |
性能參數(shù)---------------------------------------------------------
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 條件 | 單位 | |||
| JSP-TN3037-SMT | JSP-TN3050-SMT | JSP-TN3075-SMT | ||||
| 光譜響應(yīng)范圍 | 250-900 | -- | nm | |||
| 峰值波長(zhǎng) | 420 | -- | nm | |||
| 擊穿電壓 | 24.9±0.2 | @ 25℃ | V | |||
| 過(guò)電壓 | 1 - 5 | -- | V | |||
| 峰值波長(zhǎng)探測(cè)效率 | 32% | 35% | 40% | Vov=2V | -- | |
| 內(nèi)部增益 | 2.1×106 | 2.7×106 | 4.5×106 | Vov=2V | -- | |
| 上升時(shí)間 | 1.2 | 1.3 | 1.3 | Vov=2V | ns | |
| 恢復(fù)時(shí)間常數(shù) | 29 | 45 | 88 | Vov=2V | ns | |
| 暗計(jì)速率 | 典型 | 88 | 124 | 175 | Vov=2V | kHz/mm2 |
| 最大 | 200 | 288 | 420 | Vov=2V | ||
| 暗電流 | 典型 | 463 | 714 | 2148 | Vov=2V | nA |
| 最大 | 980 | 1600 | 4120 | Vov=2V | ||
| 擊穿電壓溫度穩(wěn)定性 | 34.6 | 35.3 | 35.3 | -- | mV/℃ | |
| 串?dāng)_概率 | 1.3% | 3.0% | 6.2% | Vov=2V | -- | |
| 后脈沖概率 | 2.1% | 2.7% | 4.1% | Vov=2V | -- | |
| 像素電容 | 98 | 165 | 387 | Vov=2V | fF | |
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